高速DDRおよびLPDDRインターフェースは、ますます厳格化するタイミングおよび電圧の制約の下で動作しています。プロセスばらつき、電圧変動、温度、ジッタ、ノイズ、およびチャネル効果は、いずれもメモリの信頼性を低下させ、PHY検証ワークフローに多大な複雑さをもたらす可能性があります。
の「DDR PHY VREF特性評価ソリューション」は、VREFおよびサンプリング遅延の制御されたスイープを通じて受信機の特性評価を自動化することで、これらの課題に対処します。 これにより、エンジニアリングチームはDDRのリード・アイ・ダイアグラムを生成し、利用可能なマージンを定量化し、性能が低下しているビットを特定し、最適なPHY動作点を決定することが可能になります。最新のDDRおよびLPDDRインターフェース向けに特別に設計されたこのソリューションは、チャネル、ランク、バイトレーン、および個々のDQビットにわたって実用的なマージン情報を提供し、チームが信頼性を向上させ、デバッグ時間を短縮し、読み出し性能を最適化できるよう支援します。
本ソリューションは、DDR PHYの開発、シリコンの起動、PVT特性評価、製品認定、製造スクリーニング、および故障解析をサポートしています。
1. シリコン・ブリングアップ：初回シリコン検証の過程で、タイミング、電圧、および受信マージンに関する問題を特定する。
2. DDR PHYの開発：受信機のチューニング、読み出しトレーニングの評価、およびPHY性能の最適化をサポートします。
3.PVT特性評価：プロセス、電圧、温度の各条件におけるDDRの読み出し動作を評価する。
4. 製品の認定：設計レベルおよびシステムレベルの検証に向けた、再現性のある特性評価データを生成します。
5. 製造およびスクリーニング：生産マージンを評価し、定義された限界値に近い範囲で動作しているデバイスや構成を特定する。
6. 故障解析：脆弱な箇所、ジッタに対する感度、信号完全性に関する懸念事項、およびマージンの低下について調査する。
プロジェクトの内容や対象プラットフォームに応じて、成果物には以下が含まれる場合があります：
サポートされている出力、測定項目、テストパターンオプション、および特性評価パラメータの詳細については、ソリューションのデータシートをご参照ください。
DDR PHY VREFの特性評価では、DDRの読み出しウィンドウ全体にわたって電圧リファレンスおよびサンプリング遅延の設定を掃引することで、受信機の性能を測定します。これにより、アイ幅、アイ高さ、タイミングマージン、電圧マージン、および受信機の最適動作点を決定するのに役立ちます。
DDRインターフェースは、タイミングや電圧のマージンが限られている状態でも、基本的な機能テストに合格する場合があります。リードアイ特性評価を行うことで、利用可能な動作マージンの程度を把握でき、量産前に脆弱な状態や限界状態を特定するのに役立ちます。
本ソリューションは、DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X、およびカスタムDDR PHYの実装に対応しています。
このソリューションは、アイ幅、アイ高さ、アイ中心、タイミングマージン、電圧マージン、最適なVREF、最適な遅延、アイ面積、BERの挙動、およびビットごとのマージンなどのパラメータを測定します。
はい。特性評価は、PHY、チャネル、ランク、バイトレーン、DQSグループ、および個々のDQビットの各レベルで実行可能であり、エンジニアが脆弱な領域や限界領域を特定するのに役立ちます。
はい。プロセス、電圧、温度の各条件におけるDDR PHYの動作を評価するために使用できます。
はい。このソリューションは、ファーストシリコン検証の過程で、タイミング、電圧、キャリブレーション、およびマージンに関する問題を特定するのに役立ちます。
はい。このソリューションでは、統合された設計成果物を生成し、CSV、Excel、PDF、HTMLなどの形式でデータをエクスポートすることができます。
はい。この特性評価フレームワークは、独自のPHYアーキテクチャ、レジスタインターフェース、テストフロー、およびレポート要件に合わせて調整することが可能です。
PHYの設定、VREFおよびディレイのスイープ、読み出しの実行、データ取得、エラー解析、アイパターンの生成、メトリクスの抽出、レポート作成といった主要な手順を自動化します。
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